Aug 10, 04 | 3:25 pm
Por: NCyT

Los científicos están investigando cómo utilizar el muy apreciado nitruro de galio (GaN), un semiconductor, en aplicaciones de nanotecnología. Investigadores del Berkeley Laboratory y de la University of California en Berkeley han conseguido por primera vez controlar la dirección en la cual crece un nanohilo de este material.

La dirección de crecimiento es fundamental a la hora de determinar la
conductividad eléctrica y térmica del hilo, así como otras importantes propiedades.

Algunos especialistas creían que la dirección de crecimiento no podía ser controlada, pero Peidong Yang, químico del Berkeley Lab., y sus colegas han demostrado lo contrario.

Los nanotecnólogos están deseosos de poder utilizar el enorme potencial del nitruro de galio en dispositivos optoelectrónicos de alta potencia y rendimiento. En estos momentos, se han elaborado nanohilos y nanotubos de este material que han resultado ser muy útiles en diodos emisores de luz azul, nanoláseres ultravioletas de corta longitud de onda, y en sensores bioquímicos especiales.
Si podemos controlar la dirección de crecimiento del nanohilo, entonces podremos determinar parámetros anisotrópicos interesantes como la conductividad eléctrica y térmica, la polarización piezoeléctrica, etc., indica Yang.

Yang y su grupo son expertos en la elaboración de nanohilos de semiconductores, sobre todo de nitruro de galio, óxido de zinc y silicio/germanio. Los hilos producidos miden sólo unos pocos nanómetros de diámetro pero pueden alcanzar varios micrones de largo. Para controlar la dirección de crecimiento cristalográfica, seleccionan muy bien el sustrato.

Por ejemplo, cuando crecen en un sustrato de óxido de litio-aluminio, los nanohilos resultantes de nitruro de galio adoptan una sección triangular. En un sustrato de óxido de magnesio, la sección es hexagonal. Aunque su composición es idéntica, las propiedades electrónicas de los nanohilos difieren en función de las distintas orientaciones de los cristales.